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ＪＣＵ　高密着銅メッキ形成プロセスを開発

　ＪＣＵはガラス基板への高密着銅メッキ形成プロセスを開発した。ガラスと金属との密着を得るため金属酸化物層を形成し、無電解メッキで導電層（シード層）を形成する。平滑性などガラスの特性が損なわれないほか、既存のスパッタリングに比べて立体処理、量産性に優れる。ガラス基板は近年、ＩＣと基板をつなぐ中間基板のインターポーザーにおいてシリコンに代わる安価な材料として注目されている。同社が得意とするビア充填用電解銅メッキ薬品と併せて、安価で信頼性の高いプロセスとして提案していく。