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昭和電工 ＳｉＣエピウエハー 秩父で生産能力２・５倍

　 昭和電工は30日、秩父事業所（埼玉県）で炭化ケイ素（ＳｉＣ）エピタキシャルウエハーの生産能力を増強したと発表した。新たな炉を導入するなどをして、直径10センチメートル（４インチ）換算で従来の２・５倍となる月１５００枚に拡大した。９月からの商業運転を予定している。新設炉は15センチメートル（６インチ）品の生産が可能なことから、２０１３年後半をめどに15センチメートル品のサンプル供給も始める。
　家電向けＳｉＣ半導体の普及や開発案件の増加を受けて設備増強に踏み切った。投資額は非公表。新たに導入した３期目の炉は来年後半にはフル稼働にこぎ着ける見通しとしており、２〜３年後にはさらなる能力増強も想定する。また、15年には15センチメートル品の商業生産炉として活用することになりそうだ。
　ＳｉＣエピタキシャルウエハーは高電圧・大電流に耐えられ、高温環境下でも動作するＳｉＣパワー半導体の材料となる。現在、数十億円前後のＳｉＣウエハー市場は、20年には４００億円規模に成長すると試算されている。昭和電工はＳｉＣウエハーの国内最大手メーカーで、日本で過半、世界で20％程度のシェアを有しているとみられる。独自の前処理工程の実施などにより表面平滑性に優れた製品を供給し、家電、次世代エネルギー、エコカー、電鉄の４分野をターゲットに事業展開を進めている。
【写真説明】ＳｉＣパワー半導体の普及でエピウエハーの市場も拡大している