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パウデック 新構造のＧａＮトランジスタ開発

　ベンチャー企業のパウデックは25日、英シェフィールド大学と共同で、新原理の半導体へテロ接合構造の採用により、実用化に際し問題となっていた「電流コラプス現象」を抑制できる超低損失、高耐圧の窒化ガリウム（ＧａＮ）パワートランジスタの開発に成功したと発表した。２-３年後をめどに、家電用インバーターなど民生用機器や電気自動車（ＥＶ）、産業用機器を対象とした製品化を目指す。