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東大 トンネル電界効果型ＦＥＴ開発 省電力化に寄与

　東京大学大学院工学系研究科の高木信一教授らは、超低消費電力のトンネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を開発した。従来のＭＯＳ（金属酸化膜半導体）トランジスタとほぼ同じ素子構造で、引っ張り応力を加えたシリコン（ひずみＳｉ）とゲルマニウム（Ｇｅ）を使用。オン／オフ電流比が既存報告より10倍高く、実用化によりＩＴ機器の大幅な省電力化が期待できる。