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2014年09月18日 前へ 前へ次へ 次へ

東レ SiCパワー半導体向け高機能レジスト開発

 東レは17日、炭化珪素(SiC)パワー半導体の生産効率を大幅に高められる高機能レジストを開発、来年にも量産体制を整えると発表した。独自の高耐熱樹脂を使いフォトレジストとハードマスクの機能を一体化したことによってドライエッチング処理を省き、関連工程を40%削減できるという。


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