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東芝／ＴＳＭＣ　次世代半導体量産へ

　東芝と台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）が次世代半導体の量産へ向けて着々と準備を進めている。フラッシュメモリーの東芝はプロセス微細化のためにＥＵＶ（極紫外線）リソグラフィーの導入を急ぐ一方、磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリー（ＭＲＡＭ）とフラッシュメモリーの混載や新インタフェースの開発など、付加価値向上を推進する。ＴＳＭＣは２０１５年にも線幅１０ナノメートルの３次元ロジックＩＣを量産するなど、微細化技術で先行する。
　東芝の斎藤昇三副社長（写真左）は、「半導体業界の課題は技術とコストが限界にきていること」としたうえで、ＥＵＶ露光技術実現のためにＥＵＶＬ基盤開発センター（ＥＩＤＥＣ、つくば市）などと協業し、「量産に向けた基盤つくりを進めている」という。
　半導体プロセスの微細化はロジックでも急速に進む。ＴＳＭＣの研究開発担当であるクリフ　ハウ副総経理（写真右）は「セミコン・ジャパン」の基調講演において次世代半導体プロセスへの取り組み方針を明らかにした。に向けた基盤つくりを進めている」という。