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次世代不揮発性メモリーＳＴＴーＭＲＡＭ　普及へ前進

　次世代メモリーとして注目されてきた磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリー（ＭＲＡＭ）の開発が進んでいる。高速のデータ書き換えができるうえ、フラッシュメモリのように電気を切ってもデータがなくならない不揮発性が特徴だが、低消費電力化が課題だった。そこで改良版のスピン注入磁化反転型ＭＲＡＭ（ＳＴＴーＭＲＡＭ）が台頭しており、このほど東京エレクトロン（ＴＥＬ）グループは米社製品の限定出荷をはじめた。またベルギーのマイクロエレクトロニクス研究開発機関（ＩＭＥＣ）はＴＥＬおよびキヤノンアネルバと協業して大容量ＳＴＴーＭＲＡＭの開発を進めていることを明らかにした。