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ＪＳＲ、１３年めどにＥＵＶレジスト開発へ
ＪＳＲは２０１３年をめどに、次々世代半導体プロセスであるＥＵＶ（極紫外線）リソグラフィー用レジストの開発を目指す。まずは線幅２０ナノメートル台を視野に高分子系での開発を進める。微細化技術が予想以上に進み、ＥＵＶプロセスが線幅１０ナノメートル台から導入されることになれば、低分子系レジストでの対応を検討する。ＥＵＶプロセスは量産用露光機も開発段階だけにレジスト開発は各社難航している。同社はインフラの整備状況に応じて柔軟に対応する方針。次々世代半導体向けに、２２ナノメートル級の回路線幅を１回露光で形成可能なＥＵＶプロセスが注目されている。感度と解像度、パターン形状乱れ（ＬＥＲ／ＬＷＲ）の３条件を満足させたＥＵＶ対応レジストの開発も迫られている。
