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ＳｉＣデバイス本格普及へ　開発進む大口径ウエハーとフルＳｉＣ素子

　低消費電力向けに市場が拡大しているパワー半導体だが、既存のシリコン系製品の需要が低迷している半面、次世代の炭化珪素（ＳｉＣ）製品の導入には力が入ってきた。ＳｉＣウエハーも本格量産を見据えて従来の口径１０センチメートルから口径１５センチメートルへと大口径化が進んでいる。ＳｉＣデバイス側は以前から、「事業化には高品質の１５センチ口径が必須」（三菱電機ほか）としてきただけにやっと歩調が揃ってきた。実装の課題である高耐熱の樹脂パッケージが実現すれば２０１３年後半にも普及にはずみがつくとみられる。