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物材研など　新たな金属酸化物を用いたトランジスタを開発

　物質・材料研究機構と理科学研究所は１７日、住友金属鉱山と共同で、製造方法が簡単で高い電界効果移動度を持つ新たな金属酸化膜トランジスタの開発に成功したと発表した。?の薄膜でも従来のアモルファスシリコンと比べて電界効果移動度は倍となる平方??／秒を示し、素子サイズの縮小化、消費電力の削減が期待できる。高価なガリウムや亜鉛を含まず、アモルファス状態の制御も簡単なことから、同グループでは今後、次世代薄膜トランジスタ材料として開発を進める計画。