東大など 強誘電性液晶開発 超高密度メモリー期待
東京大学の相田卓三教授、宮島大吾大学院生、東京工業大学の竹添秀男教授、理化学研究所のグループは、世界で初めて液晶分子（カラムナー相）で強誘電性を持つ材料開発に成功した。樹状構造を持つ傘状分子が集合した高分子で、直径約４・５ナノメートルのカラム（円柱）構造を形成、軸方向に分極を示す。極小のカラム１本が１ビットのメモリーとして働けば最大約40テラビット／平方インチの高密度メモリーが実現できる。貴金属を使わない軽量で柔軟、安価な超高密度メモリーとして、さまざまな材料開発を進めるとともに機能向上を図る。
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