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富士フイルム 半導体エッチャント、王水代替
富士フイルムは、半導体プロセスの微細化に対応する次世代エッチャント（エッチング液）を開発した。半導体の配線幅／配線間隔（Ｌ／Ｓ）は近く１０ナノメートル台に入るが、王水系（濃塩酸と濃硝酸の混合液）を使う既存プロセスは配線へのダメージが大きく、チップの信頼性確保が難しくなっている。同社は銀塩写真で培った選択的腐食防止技術を適用し王水を使わない高機能エッチャントを開発、サンプル出荷を開始した。
同社が開発した新規エッチャントは、半導体中枢部のコンタクトを形成するためのシリサイドプロセス向け。コンタクトの形成材料は主にニッケル白金合金で、エッチング加工には王水が使われる。
