前へ
東海カーボン ＳｉＣコーティングの次世代設備導入 日本を開発センターに
東海カーボンは、半導体シリコンや発光ダイオード（ＬＥＤ）の製造装置に使われる化学気相成長法炭化ケイ素（ＣＶＤ法ＳｉＣ）コーティング事業のさらなる高度化に向け、茅ヶ崎工場（神奈川県）に次世代設備を導入する。新設する建屋にコストダウンや高性能化に寄与する新たなコンセプトを織り込んだ新型炉を導入し、茅ヶ崎工場をＳｉＣコーティングの量産工場であるとともに、開発センターとしても位置付けていく。投資額は10億円弱、来春の稼働を予定する。同社は米国、韓国に保有する海外拠点でも能力増強を進めており、これら３拠点合わせた炉数は増強前に比べて４割程度拡大する。
