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ＪＳＲ、次世代ＥＵＶ向け高分子系レジスト開発
ＪＳＲは２４日、次世代のＥＵＶ（極紫外線）半導体リソグラフィー向けに、業界最高水準のパターン品質を持つフォトレジストを開発したと発表した。今後周辺材料の開発も進め、回路線幅１０ナノメートル台への対応を図る。半導体プロセスは微細化が進んでおり、リソグラフィ技術も現在のＡｒＦ（フッ化アルゴン）液浸からＥＵＶへと移行の見通し。このため電材大手はＥＵＶレジストの開発にしのぎを削っている。同社が開発したのは高分子系レジストで、塗布型ハードマスクと組み合わせて露光した結果、解像度や感度が業界トップクラスであることを確認できたという。レジストパターンがハードマスクを通して基板に良好に転写された。ＥＵＶレジストの膜厚はＡｒＦレジストの半分以下の約５０ナノメートルと薄いだけに、加工性の改善が重要な課題。同社ではレジストだけではなく、有機／無機の塗布型ハードマスクなど周辺材料の開発も進めることにしている。
