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2014年03月28日 前へ 前へ次へ 次へ

ASML 次世代半導体露光機関連技術開発

 半導体露光機最大手の蘭ASMLは次世代EUV(極紫外線)露光機の実用化に必須の関連技術を開発した。連続運転に欠かせないレンズクリーニングや防塵カバー(ペリクル)に目処をつけた。最大の課題である光源開発においては、二酸化炭素レーザーで励起するレーザー生成プラズマ法(LPP)に絞り、2015年に250ワット出力を目指す。求められるスループット(処理性能)は、「用途によって異なる」(同社日本法人)としている。


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