2013年6月の記事を読む
2013年5月の記事を読む
2013年4月の記事を読む
2013年3月の記事を読む
2013年2月の記事を読む
2013年1月の記事を読む
2012年12月の記事を読む
2012年11月の記事を読む
2012年10月の記事を読む
2012年9月の記事を読む
2012年8月の記事を読む
2012年7月の記事を読む
2012年6月の記事を読む
2012年5月の記事を読む
2012年4月の記事を読む
2012年3月の記事を読む
2012年2月の記事を読む
2012年1月の記事を読む
2011年12月の記事を読む
2011年11月の記事を読む
2011年10月の記事を読む
2011年9月の記事を読む
2011年8月の記事を読む
2011年7月の記事を読む
2011年6月の記事を読む
2011年5月の記事を読む
2011年4月の記事を読む
2011年3月の記事を読む
2011年2月の記事を読む
2011年1月の記事を読む
2010年12月の記事を読む

ニコン、半導体プロセス微細化 ＡｒＦ液浸プロセスに特化

　ニコンの牛田一雄取締役兼専務執行役員精機カンパニープレジデントは２１日、半導体プロセスの微細化に対して「ＡｒＦ（フッ化アルゴン）液浸プロセスで対応を行う」と、露光機の開発方針を明らかにした。回路線幅は２０２０年に約１０ナノメートルにまで微細化が進む予想だが、「多重露光や化合物を使った自己配線（ＤＳＡ）技術と液浸技術を組み合わせることで７ナノメートルにも対応できる」とみている。最大手の蘭ＡＳＭＬが次世代「ＥＵＶ（極紫外線）」露光機に軸足を移しているのとは対照的な戦略だが、「すでに性能的にも上回った」と自信を示した。