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2013年04月25日 前へ 前へ次へ 次へ

エルピーダメモリ DRAM生産倍増へ

 エルピーダメモリは携帯機器向けDRAMの需要増に応えるため、製造プロセスを現状の線幅30ナノメートルから25ナノメートルに微細化する。主力の広島工場は月産10万枚以上(口径300ミリメートルウエハー換算)の能力を持つが、スマートフォンとタブレットパソコンの市場拡大および搭載パネルの高精細化から同DRAM需給は逼迫している。搭載パネルはフルHD(フルスペック1920×1080画素)をはるかに上回るQFHD(3840×2160画素)へと進む見通しだけに、同社は15年をめどに高速かつ低消費電力化が図れる「ワイドバンドDRAM」を投入する。


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