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東芝 フラッシュメモリ微細化

　東芝は次世代の３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの実現に向けてナノカーボン技術の適用を図る。既存の銅配線にくらべて電気抵抗が小さく、信頼性も高いのがカーボンの特徴。カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）と層状のグラフェンの両方を使い分け、線幅２０ナノメートル以下の「３次元メモリー」の実用化を目指す。