ニュースヘッドライン記事詳細

2012年01月18日 前へ 前へ次へ 次へ

日本触媒 SiCパワー半導体向け封止材量産

 日本触媒は、ナノハイブリッド技術を応用した炭化ケイ素(SiC)パワー半導体向け高耐熱封止材を開発した。エポキシ系有機成分にシリカ系無機ナノ成分を分子レベルで結合させたナノコンポジット樹脂で、両成分間の化学的相互作用により250度Cを上回るガラス転移温度(Tg)を実現した。従来のエポキシ樹脂系は特殊品でもTgは175度Cが最高だった。開発品は250度C超の耐熱性を長期間維持することが可能で、市場拡大が見込まれる太陽光発電や風力発電、電気自動車分野の要求を満たす。すでにサンプル供給を開始しており、今年中にも量産化。国内外で展開し2015年度に20億円、20年度には100億円の売上高を目指す。


Copyright(c)2010 The Chemical Daily Co., Ltd.