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富士電機 パワー半導体事業１３年度に１１００億円超

　富士電機は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）をはじめとするパワー半導体事業を拡大する。産業機器や自動車向けに旺盛な需要が見込めるとあって、最新プロセスの前工程工場を国内に新設、後工程工場も中国に建設予定。高効率の次世代炭化珪素（ＳｉＣ）素子も大口径ウエハーで量産する。13年度には２０１１年度予想比40％以上の売り上げ１１３０億円を目指す。