2011年10月の記事を読む
2011年9月の記事を読む
2011年8月の記事を読む
2011年7月の記事を読む
2011年6月の記事を読む
2011年5月の記事を読む
2011年4月の記事を読む
2011年3月の記事を読む
2011年2月の記事を読む
2011年1月の記事を読む
2010年12月の記事を読む

ＪＳＲ-セマテック １５ナノメートルパターン解像に成功

　ＪＳＲは20日、米半導体製造技術研究組合であるセマテックと共同で、遠紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィーを用いて15ナノメートルハーフピッチのパターンが化学増幅型フォトレジストで形成できることを実証したと発表した。半導体製品はさらなる小型化、高速化が求められており、それを実現するパターン解像度の微細化が不可欠となっているが、今回10ナノメートルレベルのパターン形成を実現したことにより、ＥＵＶリソグラフィーの実用化へ向け大きく前進したとしている。