エルピーダメモリ 半導体微細化技術で差別化
エルピーダメモリは収益改善策の要であるプロセス微細化で先行するため、新材料に対する取り組みを強化する。線幅30ナノメートル台製品の拡充を進める同社は、世界初の線幅25ナノメートルＤＲＡＭの実用化にも成功した。しかし生産性を向上するにはキャパシタ形成に最適なプレカーサー（前駆体）が必須とあって、材料探索が課題に浮上している。さらに将来の線幅20ナノメートル以下プロセスではキャパシタ材料にストロンチウム系（ＳＴＯ）が考えられており、ＤＲＡＭ業界ではいち早い新材料の適用が競争力を左右する状況になっている。
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