ブリヂストン 口径１２・５センチメートルのＳｉＣウエハーを開発
ブリヂストンは２６日、口径１２・５センチメートルの高品質ＳｉＣウエハーの開発に成功したと発表した。独自の高純度粉体原料と最終製品まで一貫したクリーン製造プロセス技術をベースに、新たなシミュレーション技術と温度制御技術を採用することで実現した。開発品は、量産ウエハーレベルの高い結晶品質を確保しており、次世代パワー半導体用途としての活用が期待できる。同社では、１２年下期の製品化を目指して口径１５センチメートル品の開発も行っており、今回の開発成果を活用していく考え。
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