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ＪＦＣＣ ＳｉＣ基板の欠陥検出方法を開発
ファインセラミックスセンター（ＪＦＣＣ）はトヨタ自動車と共同で、次世代パワーデバイス材料として期待される炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板の欠陥を容易に検出できるエッチング法を開発した。水酸化カリウム（ＫＯＨ）に過酸化ナトリウムを添加した液体中にＳｉＣを浸漬することで、すべてのｐ型、ｎ型ＳｉＣ基板において、容易に欠陥のある場所や種類、密度を見分けることを可能とした。同時に基板、エピタキシャル膜およびその界面の欠陥を同時に見分ける電子線誘起電流法（ＥＢＩＣ）による欠陥電場挙動の評価方法も開発した。これらの欠陥検出技術により、パワーデバイス用ＳｉＣ材料の品質、性能、寿命の向上および、さらなる低価格化の進展が期待される。
