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旭硝子、ウエハー裏面研削用ガラス支持基板を開発
旭硝子は、シリコンウエハーの裏面研削用ガラス支持基板を開発した。シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）など半導体の３次元集積分野でウエハーの薄肉化が進むことに対応したもので、熱線膨張係数がシリコンとほぼ同等であるため、ウエハーと貼り合わせた際の反りを抑制できる。平坦度の指標であるＴＴＶ（トータル・シックネス・バリエーション）は２マイクロメートル以下と、最先端の業界ニーズを満たす。裏面研削用の支持材料はテープが主流。ただ、薄肉化が進行すると、ガラスのような強度がある材料が必要になる。同ガラス支持基板「ＥＮ-Ａ１」は、半導体製造工程で汚染を嫌う顧客に対応したアルカリフリーガラス。幅広い温度領域において熱線膨張係数がシリコンとほぼ同等であるため、反りを最小限に抑えることが可能。基板の厚みは２００ミリメートルウエハー用が０．３５?０．７ミリメートル、３００ミリメートル用が０．５?０．７ミリメートル。
