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2013年12月10日 前へ 前へ次へ 次へ

産総研、住友化学など 高電子移動度トランジスタ開発

 産業技術総合研究所は東京工業大学、住友化学と共同で、従来と比べて2倍の電子移動度を持つインジウムガリウムヒ素(InGaAs)トランジスタを開発したと発表した。トランジスタの動作電圧を下げることができるため、集積回路の消費電力を6割程度低減できると期待される。同グループでは今後、p型トランジスタと組み合わせてCMOS回路として動作検証を進め、トランジスタ単体の性能だけでなく既存のシリコンCMOS回路を上回る性能や低消費電力化を目指す。


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